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AVX钽电容制造过程
   编辑:东莞光尚电子   浏览:4407  时间:2015-03-10 
 

AVX代理商介绍AVX钽电容的制造过程
钽电容和铌电容是由微小的粉粒组成的。典型的粉粒直径在2~10微米之间。粉末被周围的高压压缩形成“颗粒”。转接卡线是电容器的阳极连接。随后进行高温真空烧结(一般为1200 - 1800℃),强大机械外力产生颗粒,烧结炉内除了粉末没有任何杂质。粉末在烧结过程中变得像海绵,所有的粒子在一个巨大的互连结构中。这种结构有高机械强度和大密度,造就了巨大的内部表面积即较大的容积比。AVX代理容积比的单位是CV/克(每克电容电压的乘积).因此容积比高的粉末,其中有一个低的平均粒径,用于低电压,高电容部分。选择其中粉和烧结温度是用来每个电容/电压等级的表面积可以控制的。
        下面的用一个220UF 6V电容作为示例加以说明。C = Ø RAð. 其中O是自由空间的介电(8.855× 10-12法拉/米)是相对介电常数=27,五氧化二钽=41铌五氧化二磷D是电介质厚度,以米为单位C是在法拉电容A是在米的表面面积重新排列这个方程给出:= CD O R从而为220UF/ 6V电容器的表面积为346平方米厘米,将近一半的时候这个页面的大小。电介质,然后形成了钽或铌通过电化学阳极氧化过程中氧化物表面。要激活此,AVX代理商浸入到一个非常薄弱的​​的解决方案磷酸。电介质厚度是由施加电压的控制在形成过程中。最初的电源是保持在一个恒定的电流模式,直到正确的厚度介质已达到(即电压达到鈥榝orming电压鈥,然后切换到恒压模式和电流衰减至接近零。
描述这一过程的化学方程式为如下:钽阳极:2打→2 TA5+10 E -2 TA5+10的OH -→钽+5水铌氧化物阳极:2 NBO→2 NbO3+ E -2 NbO3++ OH-→铌+3 H2O阴极:钽:10水 - 10 E→5H2+10 OHNiobium氧化物:6水 - 6 E -→3H2+6 OHThe氧化物,但它也长成的材料。AVX钽电容对于每一个单位生长氧化三分之二和三分之一的增长。它是这个原因,有一个最高电压等级的限制与目前的钽和氧化铌电容技术粉末。介质下运作的高电应力。考虑220μF6V部分:形成形成电压=比X工作电压= 3.5× 6= 21伏特钽:五氧化二磷(钽)介质的速度增长1.7 ×10-9米/ V介电层厚度(D)= 21× 1.7 ×10-9= 0.036微米电场强度=工作电压/ D=167千伏/毫米
    氧化铌(铌)介质的速度增长2.4 ×10-9米/ V介电层厚度(D)=21×2.4 ×10-9= 0.050微米电场强度=工作电压/ D=120千伏/毫米下一阶段是阴极板的生产。这是通过硝酸锰热解成二氧化锰。“颗粒”是硝酸盐水溶液和浸入然后在烤箱烤约250° C到生产二氧化碳大衣。化学方程式是:锰(NO3)2→二氧化锰+2NO2 - 这个过程重复几次通过不同硝酸盐的具体密度,建立厚厚的棉衣“沉淀”,所有内部和外部表面所示。二氧化锰层“沉淀”,然后蘸成石墨和银提供了良好的连接,以二氧化锰阴极板。电气接触是建立由沉积在阴极表面上的碳。碳然后涂上导电材料,以方便连接阴极终止(见图5)。包装进行,以满足个人的规范和客户要求。这种制造技术是坚持对整个AVX钽电容,它可分为范围四个基本群体:芯片/树脂蘸/长方形盒装/钽电容的生产上的进一步信息可从技术文件“基本钽科技“,由约翰鳃,你可以询问本地AVX代理商(http://www.edingtou.cn )
 
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